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（中央社記者鍾榮峰台北20日電）iPhone X開賣不久，市場已將目光轉向明年新iPhone。外媒引述分析師預估，明年新iPhone將具備DSDS功能，LTE傳輸速度可大幅提升，英特爾（Intel）是基頻晶片大贏家。

國外科技網站MacRumors引述凱基投顧分析師郭明錤報告指出，蘋果西元2018年推出新一代iPhone機種，將搭配英特爾或高通（Qualcomm）新一代基頻晶片，可讓新一代iPhone的LTE傳輸速度更佳。

報導引述指出，新iPhone的LTE晶片可支援4x4多入多出（MIMO）天線技術，今年9月新推出的iPhone，支援2x2的MIMO天線規格，郭明錤認為這將大幅提升明年下半年新款iPhone在LTE傳輸速度。

觀察明年新款iPhone基頻晶片分布比重，報導引述郭明錤報告預估，英特爾提供的基頻晶片，將占明年新款iPhone所需70%到80%比重，甚至更高。

郭明錤預期明年新款iPhone將進一步支援雙卡雙待DSDS（dual-SIM dual standby）功能，預期能具備LTE+LTE連結。報導指出，這意味新款iPhone內建的2張SIM卡，可透過一組晶片同時運作。

郭明錤日前報告推測，蘋果明年下半年將推出3款新iPhone，分別是6.5吋與5.8吋的有機發光二極體（OLED）螢幕機種，與6.1吋的TFT-LCD螢幕機種。其中2款新OLED機種針對高階市場，新款TFT-LCD機種針對中低階市場。

郭明錤先前預期明年iPhone整體出貨量可達2.45億支到2.55億支，年成長約10%到20%。1061120

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